Insights em efeitos de substituição em MXenes baseados em Ítrio. Uma investigação utilizando DFT.

Resumo

No presente artigo, empregamos cálculos ab-initio para elucidar a estrutura, estabilidade,
propriedades espectroscópicas, termodinâmicas e eletrônicas dos MXenes pertencentes à família
do ítrio, os quais ainda não foram sintetizados experimentalmente. Todos os cálculos realizados
fundamentam-se nos métodos da Teoria do Funcional da Densidade (DFT) e da Teoria do
Funcional da Densidade por Perturbação (DFPT), utilizando o funcional de troca-correlação
GGA-PBE e o funcional híbrido HSE06 para uma estimativa mais precisa do gap de banda.
Nossos resultados referentes à dispersão de fônons e às propriedades termodinâmicas indicam
alta estabilidade e formação espontânea na fase 2H do sistema trigonal prismático para os
materiais analisados. Embora o Y2NF 2 tenha sido previsto como condutor, conforme a tendência
geral dos MXenes, observamos um comportamento semicondutor para o Y2CF2 , com um gap de
banda indireto de 1.908 eV, estendendo-se do ponto Γ ao ponto M.